金刚石铝与铜微流道的金锡共晶焊接确实存在热应力风险,但通过 “材料匹配优化 + 工艺参数控制 + 结构设计 + 后续处理” 的组合方案,可将风险降至可控范围。
在芯片级散热这种对可靠性和热阻要求极高的场景中,上述优化措施已成为行业常规做法 —— 例如,某头部半导体企业的实测数据显示,经过优化后,该焊接结构可承受 1000 次以上的热循环(-40℃至 125℃),界面热阻稳定在 5-10mΩ・cm²,且无明显开裂或失效。
热应力风险的缓解措施
1. 优化材料匹配性
调整金刚石铝的成分:在满足散热需求的前提下,适当降低金刚石含量(如从 60% 降至 40%),使金刚石铝的 CTE 从 6-8 提升至 10-12,缩小与金锡焊料(14.2)和铜(16.5)的 CTE 差距,从根源减少应力。
2. 优化焊接工艺参数
控制升降温速率:采用 “缓慢升温(如 5-10℃/min)+ 保温 30-60s(让温度均匀传递)+ 缓慢降温(如 3-5℃/min)” 的曲线,避免因温度骤变导致的应力瞬时峰值。例如,传统快速降温(20℃/min)可能使应力增加 30% 以上,而缓慢降温可将应力峰值降低 15-20%。
3. 优化结构设计
微流道与均温板的 “柔性匹配”:在铜微流道的连接区域设计微小的 “弹性结构”(如窄幅的连接肋、微凹槽),利用铜的塑性变形能力吸收部分热应力(类似 “弹簧缓冲”),避免应力完全传递给脆性的金刚石铝。
4. 后续应力释放处理
焊接完成后,可进行 “低温退火处理”(如 150-200℃保温 2-4h),通过原子扩散使界面应力得到部分释放,同时提升焊料与基材的结合强度。实验表明,该处理可使残余热应力降低 20-25%,且不影响焊料的热导率。
两种工艺从可靠性、工艺性和经济性方面的比较
1.可靠性
金刚石铝与铜微流道焊接方案:金锡共晶焊接等工艺可获得较高的结合强度,但因金刚石铝与铜热膨胀系数差异较大,存在热应力风险,可能导致界面开裂或焊料分层,长期使用可靠性受影响。
金刚石铝与铜微流道界面材料填充方案:界面材料若能良好填充并固化,可提供一定的结合力和导热性,但填充过程中易产生气泡等缺陷,且长期使用中界面材料可能老化、性能下降,影响可靠性。
2.工艺性
金刚石铝与铜微流道焊接方案:需先对金刚石铝表面镀镍,再进行金锡共晶焊接等操作,焊接工艺要求高,需控制温度、真空度等参数,且铜微流道加工也有一定难度。
金刚石铝与铜微流道界面材料填充方案:无需复杂的表面镀层和高温焊接工艺,只需将界面材料填充到两者界面间,工艺相对简单,但填充均匀性和密封性控制是关键。
3.经济性
金刚石铝与铜微流道焊接方案:铜微流道成本适中,但金锡焊料价格昂贵,且镀镍和焊接工艺要求高,设备和工艺成本较高,整体经济性一般。
金刚石铝与铜微流道界面材料填充方案:无需镀镍和高温焊接,界面材料成本若较低,整体成本可得到控制,经济性有一定优势,但需考虑填充材料长期性能稳定带来的潜在成本。
三个维度拆解
1. 传导性(整体热导率):方案 1>方案 2>方案 3
方案 3(单独铜微流道):仅依赖铜的本体热导率(纯铜约 401 W/(m・K),但微流道为薄壁 / 多孔结构,实际整体热导率因结构削弱降至40-50 W/(m·K) ),且无均温板的 “面内快速均热” 能力,热量易在局部堆积,整体传导效率最低。
方案 2(金刚石铝 + 液体金属填充):
金刚石铝均温板的核心优势是 “金刚石高导热(600-2200 W/(m・K))+ 铝的面内均热能力”,其本体热导率可达300-500 W/(m·K);
界面采用液体金属(如镓基合金,本体热导率 50-100 W/(m・K))填充,虽液体金属热导率低于焊料(如金锡共晶焊料热导率约 50 W/(m・K),但焊接后形成致密金属键合),但填充无孔隙,对整体传导的削弱较小;
最终整体热导率受液体金属略拉低,降至220-350 W/(m·K),仍远高于方案 3。
方案 1(金刚石铝 + 焊接):
金刚石铝均温板本体热导率与方案 2 一致(300-500 W/(m・K));
界面通过 “镀镍(镍热导率 90 W/(m・K),增强焊接润湿性)+ 金锡 / 银铜焊料(热导率 50-100 W/(m・K))” 形成金属键合,界面为致密固态连接,无空隙,对整体导热的削弱比液体金属更小;
最终整体热导率更接近金刚石铝的本体水平,达250-400 W/(m·K),是三者中最高的。
2. 界面热阻:方案 2<方案 1<方案 3(方案 3 无界面)
方案 3(单独铜微流道):无 “异质材料界面”(仅微流道本体与冷却液的对流热阻,不属于 “界面热阻” 范畴),因此无此维度的额外损耗,仅需考虑铜本体热阻与对流热阻。
方案 1(焊接方案):
界面为 “金刚石铝镀镍层 - 焊料 - 铜微流道” 的三层金属连接,需克服:
镀镍层与金刚石铝的结合热阻(因镀镍工艺成熟,约 1-3 mΩ・cm²);
焊料与镀镍层、铜微流道的键合热阻(焊接若存在微小孔隙 / 氧化层,会增加热阻,约 4-12 mΩ・cm²);
总界面热阻约5-15 mΩ·cm²,属于 “低阻界面”,但高于液体金属填充。
方案 2(液体金属填充方案):
液体金属的核心优势是 “流动性好”—— 可完全填充金刚石铝与铜微流道的界面间隙(即使表面粗糙度 Ra=1-5 μm,也能无空隙贴合),且液体金属与金属表面(铝、铜)的浸润性优异,无氧化层阻隔(部分镓基液体金属可直接与铝 / 铜形成合金层,进一步降低接触热阻);
总界面热阻仅1-8 mΩ·cm²,是三者中最低的,甚至低于部分焊接方案的界面热阻。
3. 热耗能力扩展:方案 1>方案 2>方案 3(以方案 3 为基准)
“热耗能力扩展” 指相比单独铜微流道,方案能额外承载的热功率(单位:W),核心取决于 “整体导热效率提升” 与 “热阻降低带来的散热瓶颈突破”,需结合实际应用场景(如芯片热流密度 200-1000 W/cm²)分析:
方案 3(单独铜微流道):热耗能力为 “基准值”—— 假设在芯片结温≤85℃、冷却液(水)流量 1 L/min 时,其能承载的最大热耗约40-80 W(受限于铜微流道的本体热导率低,热量无法快速从芯片传递到冷却液,局部结温易超标)。
方案 2(液体金属填充方案):
因金刚石铝均温板的 “面内均热” 能力(可将芯片局部高热点热流密度分散为低面密度热流),叠加液体金属的极低界面热阻,整体散热效率比方案 3 提升2-3.5 倍;
相同工况下,可承载的最大热耗约80-280 W,能满足中高功率芯片(如 5G 射频芯片、中小功率 AI 芯片)的散热需求。
方案 1(焊接方案):
整体热导率最高(比方案 2 高 10%-20%),且焊接界面的 “结构稳定性” 更好(无液体金属长期使用中的渗漏风险),可承受更高的热循环(-55℃~125℃)与振动工况;
相同工况下,可承载的最大热耗约100-320 W,能覆盖更高功率场景(如高功率 GPU、SiC 逆变器、激光二极管),是三者中热耗能力扩展最强的。
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