POI衬底是一种可用于表面声波（SAW）滤波器的衬底材料，以高阻硅作为基底、中层为氧化埋层，顶部是一层薄且均匀的单晶压电层。相比传统的TC-SAW和BAW方案，基于POI的SAW能够提供更高性能的谐振器，在品质因数、耦合系数、频率温度系数等测量维度均有明显优势，被广泛应用于5G通讯。
根据环洋市场咨询（Global Info Research）最新调研报告《2026年全球市场POI衬底总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告》显示，按收入计，2025年全球POI衬底收入大约172百万美元，预计2032年达到1169百万美元，2026至2032期间，年复合增长率CAGR为30.8%。
图1. POI衬底，全球市场总体规模
图2. 全球POI衬底市场前9强生产商排名及市场占有率（基于2025年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）
根据环洋市场咨询（Global Info Research）头部企业研究中心调研，全球范围内POI衬底生产商主要包括济南晶正电子、Soitec、上海新硅聚合半导体、NGK Insulators、厦门博威等。2025年，全球前五大厂商占有大约92.0%的市场份额。
图3. POI衬底，全球市场规模，按产品类型细分，绝缘体上铌酸锂（LNOI）处于主导地位
就产品类型而言，目前绝缘体上铌酸锂（LNOI）是最主要的细分产品，占据大约72.4%的份额。
图4. POI衬底，全球市场规模，按应用细分，Application 1是最大的下游市场，占有电子及半导体份额。
就产品应用而言，目前电光是最主要的需求来源，占据大约69.4%的份额。
图5. 全球主要市场POI衬底规模
主要驱动因素：
柔性电子与可穿戴设备需求增长，带动对可弯折、轻量化衬底材料的需求提升；先进封装与异构集成发展，对低介电常数、良好电隔离性能材料需求增加；新型显示技术（如柔性OLED、Micro LED）推动高性能聚合物衬底应用；半导体器件向小型化、高频化发展，对材料热稳定性与电性能提出更高要求；聚合物材料与涂覆工艺进步，提升POI衬底性能与良率。
主要阻碍因素：
聚合物材料耐高温性能相对有限，限制其在高温工艺中的应用范围；长期可靠性与尺寸稳定性仍需验证，特别是在严苛环境下；生产工艺复杂，对涂层均匀性与界面结合要求高，良率控制难度较大；与传统硅基衬底相比，产业链成熟度较低，下游认证周期较长；成本优势尚未完全体现，高端应用中替代进程较慢。
行业发展机遇：
柔性电子、可穿戴设备及智能终端持续放量，为POI衬底提供新增需求空间；先进封装（如扇出型封装、系统级封装）推动新型衬底材料渗透；光电子与高频通信领域对低介电材料需求提升，带来应用拓展机会；材料体系创新（如高耐热聚合物、复合结构）有望突破性能瓶颈；随着产业链逐步完善及规模化生产推进，成本下降将进一步加速市场应用落地。
更多资料请参考《2026年全球市场POI衬底总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告》，本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析，重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等。报告还综合了行业的整体发展动态，包含美国最新关税对全球供应链的影响，产业链供货关系分析，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。
