在航空航天、核设施、深空探测等极端环境领域，电子器件的稳定性与可靠性直接决定着任务的成败。而抗辐射氮化镓晶体管作为一种适配极端场景的功率半导体器件，凭借其出色的耐辐射性能与优越的电学特性，成为支撑这些高要求领域发展的关键核心组件，在功率半导体市场中占据着特殊且重要的地位。
抗辐射氮化镓晶体管，是以宽禁带氮化镓（GaN）材料为基础制成的功率半导体器件。通过对器件外延结构、栅极介质以及钝化工艺的优化改进，它能够在质子、γ 射线、重离子等强辐射环境中，依然保持高击穿电压、低导通电阻与稳定的开关特性。正是这种 “抗辐射” 能力，让它能够满足卫星电源系统、深空探测器、核设施控制设备以及高可靠车载电子等场景的严苛需求 —— 这些领域不仅要求器件具备高功率密度，更强调长期零故障运行，而抗辐射氮化镓晶体管恰好精准匹配了这些核心诉求。
从市场发展趋势来看，根据 GIR (Global Info Research) 的调研数据，2024 年全球抗辐射氮化镓晶体管市场收入约为 6890 万美元，预计到 2031 年将增长至 1.26 亿美元，在 2025-2031 年期间，年复合增长率（CAGR）达到 9.0%。这一较高的增长率，既反映出全球航空航天、核技术应用、高端车载电子等领域的快速发展，带动了对耐辐射功率器件需求的持续攀升；也体现出抗辐射氮化镓晶体管凭借技术优势，在细分市场中的竞争力不断增强，未来拥有广阔的市场拓展空间。
从产品类型划分，抗辐射氮化镓晶体管主要依据热阻 ReCHc (FEA) 数值分为三类：热阻小于 1.3 的产品、热阻在 1.3-1.5 之间的产品，以及热阻大于 1.5 的产品。不同热阻规格的产品对应着不同的散热需求与应用场景 —— 热阻越小，器件散热效率越高，更适合高功率密度、长时间满负荷运行的场景；热阻较大的产品则可根据实际功率需求，应用于对散热要求相对宽松的设备中，三类产品相互补充，覆盖了不同场景下的技术需求。
从下游应用领域来看，抗辐射氮化镓晶体管的应用集中在对器件可靠性与耐辐射性要求极高的领域。在航空航天领域，它是卫星电源系统、航天器推进控制模块的核心器件，保障航天器在太空强辐射环境中稳定供电与精准控制；医疗领域中，用于核医学影像设备、放射治疗仪器的功率控制单元，确保设备在辐射环境下长期稳定运行；科研领域里，在粒子加速器、核物理实验装置等设备中，它承担着功率转换与控制的重要角色，为科研实验的顺利开展提供支撑；此外，在 “其他” 领域如高可靠工业控制、特种车载电子等场景，抗辐射氮化镓晶体管也发挥着不可替代的作用，成为提升设备稳定性的关键组件。
数据来源：环洋市场咨询（Global Info Research）出版的《2025年全球市场抗辐射氮化镓晶体管总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告》
